Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула–Френкеля

Проведено исследование возможности прогнозирования с применением эффекта Пула–Френкеля величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе. Путем измерения и моделирования вольт-амперных характеристик захороненного оксида кремния при разных температурах определены условия для эффекта Пула–Френкеля в этом слое. Рассмотрены процессы, протекающие в захороненном оксиде при измерении вольт-амперных характеристик и отжиге. Определены условия термополевой обработки захороненного оксида для имитации радиационного воздействия с помощью инжекции. Проведена оценка зависимости величины накопленного положительного заряда в захороненном оксиде кремния в результате инжекции от величины тока Пула-Френкеля. Показана возможность применения эффекта Пула–Френкеля для оценки дефектности захороненного оксида при изготовлении микросхем с повышенной дозовой радиационной стойкостью.