Транспортные процессы с участием атомов углерода между поверхностью и объемом родия при образовании и разрушении графена

Исследованы равновесные транспортные процессы с участием атомов углерода между поверхностью родиевого образца и его объемом, определяющие кинетику фазового перехода, вызывающего образование и разрушение графена. Найдена разность энергий активации растворения атомов углерода $E_{s1}$ и энергии активации выделения $E_{1s}$ из объема на поверхность $\Delta E$ = 0.7 эВ. Определена температурная зависимость критического покрытия $N_{eq}$ = $N_{eq}(T)$ в слое хемосорбированного углерода, при котором происходит двумерный фазовый переход и образуются островки графена: например, при $T$ = 1800 K $N_{eq}$ = 7.7 $ \cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$, а при $T$ = 1000 K $N_{eq}$ = 3.1 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$.