Оптические свойства и критические точки наноструктурированных тонких пленок PbSe

Для изучения оптических свойств наноструктурированных тонких пленок PbSe, полученных методом химического осаждения, был использован метод спектроскопической эллипсометрии. Для лучшего разрешения структуры межзонных переходов и определения критических точек используется функция $d^{2}\varepsilon/d \omega^{2}$, полученная путем численного дифференцирования экспериментальных данных диэлектрической функции $\varepsilon/\omega$. Теоретическая подгонка была проведена с помощью программы “Graphical Analysis”. Наилучшая подгонка получена для двухмерной (2D) формы критической точки $(m=0)$, для области энергий $E$ = 2–3 эВ и была определена одна критическая точка, соответствующая $E_{g}$ = 2.5 эВ. Это значение относится к переходу $L_{4}\to L_{6}$ зоны Бриллюэна.