Электропроводность FeGaInSe$_{4}$ на переменном токе

Приведены результаты исследования частотных и температурных зависимостей электропроводности кристаллов FeGaInSe$_{4}$ на переменном электрическом токе. Установлено, что при исследуемых температурах в интервале частот $f$ = 5 $\times$ 10$^{4}$–10$^{6}$ Гц для электропроводности выполняется закономерность $\sigma\propto f^{S}$ (0.1 $\le$ s $\le$ 1.0). Из температурных зависимостей проводимости определены энергии активации. Показано, что в кристалле FeGaInSe$_{4}$ зависимость электропроводности от частоты можно объяснить при помощи мультиплетной модели, а значит, проводимость в этих кристаллах определяется зонно-прыжковым механизмом.