Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 6, страницы 519–522
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49377.9361 (Mi phts5214) 		 
Электронные свойства полупроводников

Особенности переноса заряда в легированных слоях сульфида цинка в низкочастотном переменном электрическом поле

В. Т. Аванесян, А. Б. Жаркой, А. В. Ракина

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (121 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49377.9361
Аннотация: Исследованы особенности поведения спектров компонентов импеданса и электрического модуля для поликристаллических слоев сульфида цинка, легированного медью. Установлена дисперсия частотных зависимостей электрофизических параметров, отвечающая распределению времен релаксации. Для интерпретации экспериментальных данных привлекается эквивалентная схема образца, включающая элемент постоянной фазы и описывающая особенности процесса электротранспорта в исследуемой поликристаллической системе.
Ключевые слова: сульфид цинка, дисперсия, релаксация, электротранспорт, импеданс, электрический модуль.
Поступила в редакцию: 30.01.2020
Исправленный вариант: 10.02.2020
Принята в печать: 10.02.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 6, Pages 623–626
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620060044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Т. Аванесян, А. Б. Жаркой, А. В. Ракина, “Особенности переноса заряда в легированных слоях сульфида цинка в низкочастотном переменном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 519–522; Semiconductors, 54:6 (2020), 623–626
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvaZhaRak20}
\by В.~Т.~Аванесян, А.~Б.~Жаркой, А.~В.~Ракина
\paper Особенности переноса заряда в легированных слоях сульфида цинка в низкочастотном переменном электрическом поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 519--522
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5214}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49377.9361}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800461}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 623--626
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620060044}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5214
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i6/p519
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025