Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 7, страницы 648–653
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.07.49505.9388 (Mi phts5207) 		 
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры

Л. С. Лунинa, М. Л. Лунинаa, Д. Л. Алфимоваa, А. С. Пащенкоa, О. С. Пащенкоa, Н. М. Богатовb

a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b Кубанский государственный университет, г. Краснодар
PDF полного текста (146 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.07.49505.9388
Аннотация: Обсуждается выращивание твердых растворов AlGaInSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. Проведен расчет параметров и исследованы люминесцентные свойства и спектральные характеристики твердых растворов AlGaInSbAs, изопериодных подложкам InAs. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Al–Ga–In–Sb–As. Выявлены области термодинамической устойчивости к спинодальному распаду твердых растворов AlGaInSbAs и интервалы изопериодичности к подложке InAs.
Ключевые слова: твердые растворы AlGaInSbAs, термодинамические и кристаллохимические параметры, фазовые равновесия, ширина запрещенной зоны, спектральная характеристика, спектр фотолюминесценции.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-10024
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00108
Теоретический анализ и исследование кинетики роста выполнены при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 19-79-10024), исследования спектральных зависимостей выполнены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 20-08-00108).
Поступила в редакцию: 03.03.2020
Исправленный вариант: 10.03.2020
Принята в печать: 10.03.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 7, Pages 759–764
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620070088
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, Н. М. Богатов, “Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 648–653; Semiconductors, 54:7 (2020), 759–764
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunLunAlf20}
\by Л.~С.~Лунин, М.~Л.~Лунина, Д.~Л.~Алфимова, А.~С.~Пащенко, О.~С.~Пащенко, Н.~М.~Богатов
\paper Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 7
\pages 648--653
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5207}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.07.49505.9388}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43808038}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 7
\pages 759--764
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620070088}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5207
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i7/p648
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:43
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024