Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 807–811
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49630.06 (Mi phts5200) 		 
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (150 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49630.06
Аннотация: Теоретически рассмотрена динамика образования и распада когерентных состояний мелких примесных центров в кристалле германия, резонансно-возбуждаемых парой лазерных импульсов, следующих друг за другом с некоторой задержкой. Сделаны оценки необходимой мощности излучения, температуры кристаллической решетки кристалла и предельно допустимых неоднородных ширин примесных линий для наблюдения интерференции Рамсея в такой системе.
Ключевые слова: германий, мелкие доноры, лазерное возбуждение, когерентные состояния, интерференция Рамсея.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20163
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (№ 19-72-20163).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 961–965
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080242
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 807–811; Semiconductors, 54:8 (2020), 961–965
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsySha20}
\by В.~В.~Цыпленков, В.~Н.~Шастин
\paper О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 807--811
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5200}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49630.06}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800757}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 961--965
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080242}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5200
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p807
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024