Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 780–784
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49625.01 (Mi phts5195) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах

Ан. А. Афоненкоa, А. А. Афоненкоa, Д. В. Ушаковa, А. А. Дубиновb

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (346 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49625.01
Аннотация: Проведено моделирование фононных мод квантово-каскадных гетероструктур на основе двойных и тройных полупроводниковых соединений. Рассчитаны зависимости частот интерфейсных фононных мод структуры от волнового вектора в плоскости слоев и от набега фазы на периоде сверхрешетки. Найдено, что диапазон вариации энергий квантов фононных мод GaAs/Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As-структуры не превышает 2 мэВ. Рассчитанная результирующая скорость межподзонного рассеяния в структуре с учетом интерфейсных и ограниченных мод практически не отличается от расчетов в приближении объемных фононов структуры.
Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, интерфейсные фононные моды, вероятность электрон-фононного рассеяния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф18Р-107
Российский фонд фундаментальных исследований 18-52-00011_Бел.
Российский научный фонд 18-19-00493
Работа выполнена при финансовой поддержке грантов БРФФИ № Ф18Р-107, РФФИ № 18-52-00011_Бел. Расчет вероятности межподзонных переходов выполнен при поддержке гранта РНФ № 18-19-00493.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 936–940
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ан. А. Афоненко, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, А. А. Дубинов, “Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 780–784; Semiconductors, 54:8 (2020), 936–940
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AfoAfoUsh20}
\by Ан.~А.~Афоненко, А.~А.~Афоненко, Д.~В.~Ушаков, А.~А.~Дубинов
\paper Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 780--784
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5195}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49625.01}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800752}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 936--940
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5195
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p780
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024