Имплантация ионов кремния в сапфир: малые дозы

В результате ионной имплантации ионов кремния в сапфир и последующего высокотемпературного отжига в приповерхностной области сапфира наблюдаются преципитаты кремния и алюмосиликатов. Рентгеновские измерения методом сканирования обратного пространства показали наличие напряжения сжатия с деформацией -0.12% в нормальном направлении и напряжения растяжения с деформацией 0.2% в $R$-плоскости в этой области, что уменьшает несоответствие параметра решетки по отношению к кремнию (100) и может привести к повышению кристаллического качества эпитаксиальных пленок кремния, выращенных на таких модифицированных сапфировых подложках.