Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 974–979
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49842.38 (Mi phts5181) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Дифракционная селекция мод в гетеролазерах с планарными брэгговскими структурами

Н. С. Гинзбургab, А. С. Сергеевa, Е. Р. Кочаровскаяa, А. М. Малкинa, Е. Д. Егороваab, В. Ю. Заславскийab

a Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (636 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49842.38
Аннотация: В рамках метода связанных волн, дополненного квазиоптическим приближением, исследована возможность дифракционной селекции мод по поперечному индексу в лазерах с брэгговскими резонаторами планарной геометрии. Определены допустимые значения параметра Френеля, при которых дифракционные потери с торцов брэгговской структуры обеспечивают установление стационарного одномодового режима генерации с узким угловым спектром. Показано, что при больших значениях параметра Френеля стабильность генерации повышается при смещении частоты рабочего перехода к частоте продольной моды брэгговского резонатора с наибольшей добротностью.
Ключевые слова: брэгговские резонаторы, дифракционные потери, связанные волны, селекция мод, одномодовая генерация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0001
Российский фонд фундаментальных исследований 18-48-520022
Работа поддержана в рамках государственного задания ИПФ РАН по теме № 0035-2019-0001 и проекта Российского фонда фундаментальных исследований № 18-48-520022.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1161–1165
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090122
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Гинзбург, А. С. Сергеев, Е. Р. Кочаровская, А. М. Малкин, Е. Д. Егорова, В. Ю. Заславский, “Дифракционная селекция мод в гетеролазерах с планарными брэгговскими структурами”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 974–979; Semiconductors, 54:9 (2020), 1161–1165
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GinSerKoc20}
\by Н.~С.~Гинзбург, А.~С.~Сергеев, Е.~Р.~Кочаровская, А.~М.~Малкин, Е.~Д.~Егорова, В.~Ю.~Заславский
\paper Дифракционная селекция мод в гетеролазерах с планарными брэгговскими структурами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 974--979
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5181}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49842.38}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154209}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1161--1165
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090122}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5181
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p974
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024