Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 945–951
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49837.31 (Mi phts5176) 		 
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах

И. Ю. Забавичевab, А. С. Пузановab, С. В. Оболенскийab, В. А. Козловc

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Филиал Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики "Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова"
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (255 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49837.31
Аннотация: Проведено численное моделирование изменения подвижности носителей заряда после радиационного воздействия в GaAs-структурах. Для каждого исследуемого потенциала рассеяния получены значения модельных параметров, при которых результаты расчета согласуются с экспериментальными данными. Впервые показано, что вид потенциала рассеяния на радиационных дефектах определяет временную и пространственную динамику всплеска скорости в коротких структурах.
Ключевые слова: метод Монте-Карло, кластер радиационных дефектов, эффект всплеска скорости.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-15-2020-529
Работа поддержана грантом Министерства науки и высшего образования РФ, полученным в рамках ФЦП “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы”. Уникальный идентификатор проекта RFMEFI62020X0003. Номер соглашения 075-15-2020-529.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1134–1140
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090328
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 945–951; Semiconductors, 54:9 (2020), 1134–1140
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZabPuzObo20}
\by И.~Ю.~Забавичев, А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~А.~Козлов
\paper Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 945--951
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5176}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49837.31}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154204}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1134--1140
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090328}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5176
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p945
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024