|
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
И. Ю. Забавичевab, А. С. Пузановab, С. В. Оболенскийab, В. А. Козловc a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Филиал Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики "Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова"
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Проведено численное моделирование изменения подвижности носителей заряда после радиационного воздействия в GaAs-структурах. Для каждого исследуемого потенциала рассеяния получены значения модельных параметров, при которых результаты расчета согласуются с экспериментальными данными. Впервые показано, что вид потенциала рассеяния на радиационных дефектах определяет временную и пространственную динамику всплеска скорости в коротких структурах.
Ключевые слова:
метод Монте-Карло, кластер радиационных дефектов, эффект всплеска скорости.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 945–951; Semiconductors, 54:9 (2020), 1134–1140
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5176 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p945
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 27 |
|