Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 918–921
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49832.24
(Mi phts5171)
 

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Проведен анализ скоростей релаксации состояний доноров мышьяка в германии при взаимодействии с акустическими фононами в зависимости от одноосной деформации сжатия кристалла в направлении [110] при низких температурах ($<$ 10 K). Показано, что при оптическом возбуждении происходит формирование инверсной заселенности уровней донора, зависящей от величины деформации кристалла, что дает основания предположить возможность эффекта стимулированного излучения в ТГц диапазоне частот на внутрицентровых переходах мелких доноров мышьяка при их оптическом возбуждении. Показано, что одноосная деформация в направлении [110] может приводить к переключению рабочего перехода и, следовательно, к изменению частоты стимулированного излучения.
Ключевые слова: германий, мелкие доноры, релаксация, излучение фононов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-520064
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (№ 18-42-520064).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1108–1111
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090286
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 918–921; Semiconductors, 54:9 (2020), 1108–1111
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsySha20}
\by В.~В.~Цыпленков, В.~Н.~Шастин
\paper Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 918--921
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5171}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49832.24}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154199}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1108--1111
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090286}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5171
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p918
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024