Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 913–917
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49831.23 (Mi phts5170) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена

Б. С. Швецовab, А. А. Миннехановb, А. А. Несмеловb, М. Н. Мартышовa, В. В. Рыльковbc, В. А. Деминb, А. В. Емельяновbd

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
d Московский физико-технический институт, Московская облаcть, г. Долгопрудный
PDF полного текста (287 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49831.23
Аннотация: Представлены результаты исследования при комнатных температурах эффекта квантования проводимости мемристивных структур на основе органического материала поли-п-ксилилена при резистивном переключении. Показаны методы измерения и проведен сравнительный анализ проявления эффекта при переключении структур в высокоомное и низкоомное состояния. Продемонстрирована возможность задания стабильных квантовых состояний проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена. Показано, что некоторые из этих состояний обладают кратковременной, а некоторые долговременной стабильностью. Полученные результаты открывают новые возможности использования эффекта квантования проводимости в реализации нейроморфных систем.
Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, поли-п-ксилилен, квантование проводимости.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-37-20014
20-07-00696
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты 18-37-20014, 20-07-00696) на оборудовании Ресурсных центров при поддержке НИЦ “Курчатовский институт”.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1103–1107
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. С. Швецов, А. А. Миннеханов, А. А. Несмелов, М. Н. Мартышов, В. В. Рыльков, В. А. Демин, А. В. Емельянов, “Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 913–917; Semiconductors, 54:9 (2020), 1103–1107
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShvMinNes20}
\by Б.~С.~Швецов, А.~А.~Миннеханов, А.~А.~Несмелов, М.~Н.~Мартышов, В.~В.~Рыльков, В.~А.~Демин, А.~В.~Емельянов
\paper Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 913--917
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5170}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49831.23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154198}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1103--1107
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5170
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p913
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025