|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот
В. В. Румянцевab, К. В. Маремьянинab, А. А. Разоваab, С. М. Сергеевa, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовab a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Проведены исследования фотоотклика в диапазоне частот 0.15 – 15 ТГц в эпитаксиальных слоях HgCdTe с концентрацией кадмия от 15.2 до 19.2%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что узкозонные и бесщелевые твердые растворы HgCdTe могут быть использованы в качестве приемников как терагерцового, так и субтерагерцового излучения с характерным временем отклика 2 – 4 нс и величиной чувствительности, приближающейся к широко используемому в этом диапазоне приемнику на основе $n$-InSb.
Ключевые слова:
терагерцовое излучение, HgCdTe, фотоэлектрические приемники, фотопроводимость.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. А. Разова, С. М. Сергеев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 906–912; Semiconductors, 54:9 (2020), 1096–1102
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5169 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p906
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 21 |
|