|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов
К. В. Маремьянинa, В. В. Паршинb, Е. А. Серовb, В. В. Румянцевa, К. Е. Кудрявцевa, А. А. Дубиновa, А. П. Фокинb, С. С. Морозовc, В. Я. Алешкинa, М. Ю. Глявинb, Г. Г. Денисовb, С. В. Морозовa a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Приводятся результаты экспериментального исследования диэлектрических потерь в полупроводниковых кристаллах GaAs, InP:Fe и Si в миллиметровом диапазоне длин волн (80–260 ГГц) с использованием прецизионного оригинального метода измерений показателя преломления и тангенса угла диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$ на основе открытых высокодобротных резонаторов Фабри–Перо. Показано, что в сверхчистых полупроводниковых монокристаллических подложках GaAs потери в частотном диапазоне от 100 до 260 ГГц в основном определяются решеточным поглощением, в то время как в монокристаллическом кремнии основной механизм потерь – поглощение на свободных носителях заряда; при этом $\operatorname{tg}\delta\approx$ (1 – 2) $\cdot$ 10$^{-4}$ даже при заметной, на уровне 10$^{12}$ см$^{-3}$, концентрации свободных носителей. В отличие от GaAs и Si, в компенсированных кристаллах InP : Fe $\operatorname{tg}\delta$ практически не зависит от частоты в диапазоне от 100 до 260 ГГц, что связывается с проводимостью материала по прыжковому механизму. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании и оптимизации микроволновых полупроводниковых приборов, в частности устройств умножения частоты и управляемого вывода излучения непрерывных и импульсных гиротронов.
Ключевые слова:
субтерагерцовый диапазон, GaAs, InP : Fe, Si, поглощение, тангенс угла диэлектрических потерь.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
К. В. Маремьянин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, А. П. Фокин, С. С. Морозов, В. Я. Алешкин, М. Ю. Глявин, Г. Г. Денисов, С. В. Морозов, “Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 878–883; Semiconductors, 54:9 (2020), 1069–1074
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5164 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p878
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 67 | PDF полного текста: | 44 |
|