Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 873–877
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49824.16 (Mi phts5163) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения

А. В. Галееваa, А. С. Казаковa, А. И. Артамкинa, С. А. Дворецкийb, Н. Н. Михайловb, М. И. Банниковc, С. Н. Даниловd, Л. И. Рябоваe, Д. Р. Хохловac

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
d Университет Регенсбурга, Регенсбург D-93053, Германия
e Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
PDF полного текста (479 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49824.16
Аннотация: Изучена фотопроводимость, индуцированная мощным лазерным излучением с частотой 2 ТГц, в эпитаксиальных структурах на основе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te. Анализ экспериментальных данных, полученных для образцов с варьируемыми геометрическими параметрами, позволил выявить особенности кинетики фотоотклика, обусловленного транспортом в объеме, и нелокального отклика. Показано, что задержанный характер фотопроводимости обеспечивается неравновесными процессами с участием объемных носителей.
Ключевые слова: фотопроводимость, топологическая фаза, теллурид кадмия-ртути, терагерцовый диапазон спектра.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-12-00034
Российский фонд фундаментальных исследований 19-32-90259
Elite Network of Bavaria K-NW-2013-247
Volkswagen Foundation 97738
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 19-12-00034. А.С. Казаков благодарит РФФИ, проект № 19-32-90259, за поддержку. С.Н. Данилов благодарит за поддержку Elite Network of Bavaria (K-NW-2013-247) и Volkswagen Stiftung Program (97738).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1064–1068
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090109
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Галеева, А. С. Казаков, А. И. Артамкин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 873–877; Semiconductors, 54:9 (2020), 1064–1068
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GalKazArt20}
\by А.~В.~Галеева, А.~С.~Казаков, А.~И.~Артамкин, С.~А.~Дворецкий, Н.~Н.~Михайлов, М.~И.~Банников, С.~Н.~Данилов, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 873--877
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5163}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49824.16}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154191}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1064--1068
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090109}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5163
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p873
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024