Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 855–858
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49820.12
(Mi phts5159)
 

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC

П. А. Юнинa, А. И. Охапкинa, М. Н. Дроздовa, С. А. Королевa, Е. А. Архиповаa, С. А. Краевa, Ю. Н. Дроздовa, В. И. Шашкинa, Д. Б. Радищевb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Известно, что слои алмазоподобного углерода DLC (diamond-like carbon) состоят из фракций углерода как с “графитовой” $sp^2$-гибридизацией электронных орбиталей, так и с “алмазной” $sp^3$-гибридизацией. Количественное соотношение $sp^2$- и $sp^3$-фракций сильно влияет на структурные, морфологические, прочностные, оптические и электрофизические свойства пленок. В данной работе исследуется возможность управления долями $sp^2$- и $sp^3$-гибридного углерода в пленках DLC, полученных методом плазмохимического осаждения на подложках монокристаллического кремния и алмаза. Демонстрируются способы варьирования доли $sp^3$-фракции как непосредственно in situ при получении пленки путем изменения мощности емкостного и индуктивно-связанного разрядов, так и ex situ с помощью термического отжига и электрического поля.
Ключевые слова: алмазоподобный углерод, плазмохимическое осаждение, монокристалический алмаз, термический отжиг.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-3450.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00565
Работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ № МК-3450.2019.2. В части развития методики ВИМС работа поддержана грантом РФФИ № 18-02-00565. В работе использовано оборудование ЦКП ИФМ РАН “Физика и технология микро- и наноструктур”.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1047–1050
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090316
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 855–858; Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YunOkhDro20}
\by П.~А.~Юнин, А.~И.~Охапкин, М.~Н.~Дроздов, С.~А.~Королев, Е.~А.~Архипова, С.~А.~Краев, Ю.~Н.~Дроздов, В.~И.~Шашкин, Д.~Б.~Радищев
\paper Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 855--858
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5159}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49820.12}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154187}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1047--1050
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090316}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5159
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p855
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024