Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 833–840
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49813.9422
(Mi phts5157)
 

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы

А. В. Бабичевa, С. А. Кадинскаяa, К. Ю. Шубинаa, А. А. Васильевa, А. А. Блохинbc, Э. И. Моисеевd, С. А. Блохинc, И. С. Мухинae, И. А. Елисеевc, В. Ю. Давыдовc, П. Н. Брунковc, Н. В. Крыжановскаяd, А. Ю. Егоровe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: Представлены результаты экспериментов по созданию и изучению свойств фотодетекторных структур на основе монослойного графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы. В качестве базовой конструкции взята геометрия вертикального микрорезонатора Ta$_{2}$O$_{5}$ с нижним диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем SiO$_{2}$/Ta$_{2}$O$_{5}$ с резонансной длиной волны вблизи 850 нм. Проведена оптимизация условий переноса и формирования мез в слое графена на поверхности микрорезонатора. Диагностика кристаллического качества графена после формирования мез в слое графена и контактных площадок методом комбинационного рассеяния света свидетельствует о монослойности графена с низкой интенсивностью особенности в его спектре, отвечающей за дефектность структуры. Проведено измерение величины фототока при локальной оптической накачке.
Ключевые слова: фотодетекторные структуры, монослойный графен, микрорезонатор, меза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-72-00157
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 18-72-00157).
Поступила в редакцию: 06.05.2020
Исправленный вариант: 12.05.2020
Принята в печать: 12.05.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 991–998
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 833–840; Semiconductors, 54:9 (2020), 991–998
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabKadShu20}
\by А.~В.~Бабичев, С.~А.~Кадинская, К.~Ю.~Шубина, А.~А.~Васильев, А.~А.~Блохин, Э.~И.~Моисеев, С.~А.~Блохин, И.~С.~Мухин, И.~А.~Елисеев, В.~Ю.~Давыдов, П.~Н.~Брунков, Н.~В.~Крыжановская, А.~Ю.~Егоров
\paper Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 833--840
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5157}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49813.9422}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154185}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 991--998
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5157
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p833
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024