Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1169–1173
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49963.45
(Mi phts5156)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

В. В. Уточкинa, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, В. И. Гавриленкоa, Н. С. Куликовa, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, А. А. Разоваa, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: В двух волноводных гетероструктурах с массивами квантовых ям Hg$_{0.892}$Cd$_{0.108}$Te/Cd$_{0.63}$Hg$_{0.37}$Te толщиной 6.1 нм и Hg$_{0.895}$Cd$_{0.105}$Te/Cd$_{0.66}$Hg$_{0.34}$Te толщиной 7.4 нм при 8 K впервые получено стимулированное излучение на длинах волн 10.3 и 14 мкм при непрерывном оптическом возбуждении. Показано, что благодаря наличию Cd в квантовых ямах уменьшается влияние флуктуаций толщины квантовых ям на энергию межзонных переходов в ней, что в итоге может являться причиной существенного уменьшения пороговой интенсивности для генерации стимулированного излучения.
Ключевые слова: HgCdTe, квантовые ямы, стимулированное излучение, непрерывная генерация.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект № 17-12-01360).
Поступила в редакцию: 10.06.2020
Исправленный вариант: 17.06.2020
Принята в печать: 17.06.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1371–1375
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100322
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1169–1173; Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UtoAleDub20}
\by В.~В.~Уточкин, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, В.~И.~Гавриленко, Н.~С.~Куликов, М.~А.~Фадеев, В.~В.~Румянцев, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, А.~А.~Разова, С.~В.~Морозов
\paper Непрерывное стимулированное излучение в области 10--14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1169--1173
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5156}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49963.45}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041234}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1371--1375
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100322}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5156
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1169
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024