Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1139–1144
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49958.40 (Mi phts5151) 		 
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs

М. В. Дорохинa, П. Б. Деминаa, Ю. А. Даниловa, О. В. Вихроваa, Ю. М. Кузнецовa, М. В. Ведьa, F. Iikawab, M. A. G. Balantaa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Instituto do Fisica "Gleb Watagin", UNICAMP, 777 Sérgio Buarque de Holanda Street – Cidade Universitária Zeferino Vaz, Barão Geraldo, Campinas, Brazil
PDF полного текста (309 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49958.40
Аннотация: Представлены результаты исследования фотолюминесценции с разрешением по времени, выполненные для полупроводниковых гетероструктур, содержащих в матрице GaAs две невзаимодействующие квантовые ямы InGaAs – нелегированную и однородно легированную атомами хрома (InGaAs:Cr). Показано, что введение Cr существенным образом влияет на рекомбинационное время жизни носителей в квантовых ямах. Изменение интенсивности фотолюминесценции начиная с момента возбуждения не описывается моноэкспоненциальной спадающей функцией, что объясняется изменением в квантовых ямах встроенного электрического поля поверхностного барьера вследствие экранирования фотовозбужденными носителями.
Ключевые слова: фотолюминесценция, гетероструктуры, квантовые ямы, примесь Cr.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МД-1708.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований 20-38-70063
Работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ (МД-1708.2019.2) и РФФИ (20-38-70063).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1341–1346
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100061
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. А. Данилов, О. В. Вихрова, Ю. М. Кузнецов, М. В. Ведь, F. Iikawa, M. A. G. Balanta, “Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1139–1144; Semiconductors, 54:10 (2020), 1341–1346
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorDemDan20}
\by М.~В.~Дорохин, П.~Б.~Демина, Ю.~А.~Данилов, О.~В.~Вихрова, Ю.~М.~Кузнецов, М.~В.~Ведь, F.~Iikawa, M.~A.~G.~Balanta
\paper Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1139--1144
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5151}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49958.40}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041229}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1341--1346
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100061}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5151
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1139
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024