Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1117–1121
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49954.28 (Mi phts5147) 		 
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений

Н. В. Сибиревa, Ю. С. Бердниковb, В. Н. Сибиревc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Санкт-Петербургский государственный горный университет
PDF полного текста (270 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49954.28
Аннотация: Изучено влияние упругих напряжений на кристаллическую фазу Ga(As, P) нитевидных нанокристаллов. Показано, что упругие напряжения могут приводить к устойчивому росту нитевидных нанокристаллов в метастабильной фазе. Описана возможность смены кристаллической фазы внутри GaP нитевидного нанокристалла после появления Ga(AsP)-вставки.
Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, политипизм, фосфид галлия, вюрцит.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 05.617.21.0058
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (соглашение 05.617.21.0058 от 05 декабря 2019, уникальный идентификатор проекта RFMEFI61719X0058).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1320–1324
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100267
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. Н. Сибирев, “Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1117–1121; Semiconductors, 54:10 (2020), 1320–1324
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SibBerSib20}
\by Н.~В.~Сибирев, Ю.~С.~Бердников, В.~Н.~Сибирев
\paper Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1117--1121
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5147}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49954.28}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041224}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1320--1324
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100267}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5147
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1117
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025