Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1100–1105
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49951.9442
(Mi phts5144)
 

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Физико-химические взаимодействия в системе GeSb$_{2}$Te$_{4}$–PbSb$_{2}$Te$_{4}$

Г. Р. Гурбанов, М. Б. Адыгезалова

Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, г. Баку
Аннотация: Впервые комплексными методами (дифференциально-термический, микроструктурный, рентгенофазовый анализы измерением микротвердости и определением плотности) физико-химического анализа исследован разрез GeSb$_{2}$Te$_{4}$–PbSb$_{2}$Te$_{4}$ квазитройной системы GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$–PbTe и построена диаграмма состояния. Установлено, что разрез является частично квазибинарным сечением квазитройной системы GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$–PbTe. Выявлена область твердых растворов на основе GeSb$_{2}$Te$_{4}$ (15 мол.%, PbSb$_{2}$Te$_{4}$). При соотношении исходных компонентов 1:1 образуется конгруэнтно-плавящееся соединение GePbSb$_{4}$Te$_{8}$. Методом химических транспортных реакций получены монокристаллы четверного соединения GePbSb$_{4}$Te$_{8}$. Определены параметры элементарной ячейки GePbSb$_{4}$Te$_{8}$, кристаллизующейся в ромбической сингонии: $a$ = 5.06 $\mathring{\mathrm{A}}$, $b$ = 9.94 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 11.62 $\mathring{\mathrm{A}}$. Исследованием температурных зависимостей некоторых электрофизических параметров соединения GePbSb$_{4}$Te$_{8}$ и твердого раствора (GeSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{x}$ (PbSb$_{2}$Te$_{4}$)$_{1-x}$ установлено, что сплавы имеют $p$-тип проводимости.
Ключевые слова: квазитройные системы, монокристаллы, физико-химический анализ, твердые растворы, химические транспортные реакции.
Поступила в редакцию: 19.05.2020
Исправленный вариант: 27.05.2020
Принята в печать: 02.06.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1304–1309
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100139
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Р. Гурбанов, М. Б. Адыгезалова, “Физико-химические взаимодействия в системе GeSb$_{2}$Te$_{4}$–PbSb$_{2}$Te$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1100–1105; Semiconductors, 54:10 (2020), 1304–1309
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GurAdy20}
\by Г.~Р.~Гурбанов, М.~Б.~Адыгезалова
\paper Физико-химические взаимодействия в системе GeSb$_{2}$Te$_{4}$--PbSb$_{2}$Te$_{4}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1100--1105
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5144}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49951.9442}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041221}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1304--1309
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100139}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5144
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1100
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024