Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе

Методом металлоорганической газофазной эпитаксии получены квантовые точки InAs и In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As в матрице GaAs, а также GaAs-фотопреобразователи с квантовыми точками обоих типов в $i$-области. В результате исследования методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ансамбль квантовых точек In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As имеет высокую однородность, содержит меньшее число дефектных квантовых точек большого размера, а также обеспечивает снижение механических напряжений в структуре. Анализ спектральных зависимостей внутреннего квантового выхода показал сохранение качества матрицы фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As на уровне, близком к качеству реперного GaAs-фотопреобразователя при встраивании до 20 рядов квантовых точек. При этом обеспечивается линейный прирост добавочного фототока, генерированного за счет поглощения подзонных фотонов в квантовых точках In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As, с увеличением количества рядов квантовых точек, так как сохраняется величина прироста фототока в пересчете на один ряд.