|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения
О. В. Александров Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Показано, что описание дисперсионного транспорта ионов H$^{+}$ на основе модели многократного захвата позволяет количественно описать кинетику образования поверхностных состояний в МОП-структурах после ионизирующего облучения. Проведено моделирование временных зависимостей плотности поверхностных состояний от толщины подзатворного диэлектрика, напряженности и полярности электрического поля. Показано, что кинетика образования поверхностных состояний определяется уровнями локализованных состояний ионов водорода в диапазоне 0.76–0.98 эВ, концентрацией ловушек как в объeме, так и в приграничной к подложке области SiO$_{2}$ и зависит от начального распределения ионов H$^{+}$.
Ключевые слова:
дисперсионный транспорт, МОП-структура, ионизирующее облучение, поверхностные состояния, моделирование.
Поступила в редакцию: 06.04.2020 Исправленный вариант: 29.04.2020 Принята в печать: 22.05.2020
Образец цитирования:
О. В. Александров, “Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1029–1033; Semiconductors, 54:10 (2020), 1215–1219
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5134 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1029
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 16 |
|