Особенности механизма электропроводности в $\gamma$-облученных монокристаллах TlInSe$_{2}$ под гидростатическим давлением

Исследовано влияние гидростатического давления до 10 кбар на электропроводность $\gamma$-облученных цепочечных монокристаллов TlInSe$_{2}$ с удельным сопротивлением $\rho\sim$10$^{8}$ Ом $\cdot$ см. Установлено, что наблюдаемые аномалии электропроводности облученных образцов TlInSe$_{2}$ при дозах облучения $D<$ 100 крад и $D>$100 крад связаны с упорядоченной перестройкой дефектов, в состав которых входят межузельные атомы катионов и анионов. Характер аномального изменения, барические зависимости удельного сопротивления $\rho(P)$ в облученных образцах свидетельствуют о том, что под действием давления формируются локальные энергетические уровни за счет макроскопических скоплений радиационных дефектов, в результате чего изменяется энергия уровня Ферми, изменяется концентрация носителей заряда.