Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 987–996
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49932.9417
(Mi phts5129)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Влияние примеси никеля на гальваномагнитные свойства и электронную структуру PbTe

Е. П. Скипетровa, Б. Б. Ковалевa, И. В. Шевченкоa, А. В. Кнотькоbc, В. Е. Слынькоd

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
d Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, Черновцы, Украина
Аннотация: Исследованы фазовый и элементный состав и гальваномагнитные свойства (в диапазоне температур 4.2 $\le T\le$ 300 K, в магнитных полях B $\le$ 7 Тл) сплавов Pb$_{1-y}$Ni$_{y}$Te при вариации концентрации примеси никеля вдоль монокристаллического слитка, синтезированного методом Бриджмена–Стокбаргера. Показано, что растворимость никеля не превышает 0.35 мол.%. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла и температурные и полевые зависимости магнитосопротивления. Для объяснения результатов сделано предположение о возникновении инверсионного слоя $n$-типа проводимости на поверхности образцов и существовании нескольких конкурирующих механизмов проводимости в образцах. Предложена модель электронной структуры Pb$_{1-y}$Ni$_{y}$Te, предполагающая пиннинг уровня Ферми в пределах примесной зоны Ni, расположенной на краю валентной зоны и смещающейся в глубь нее с ростом температуры.
Ключевые слова: сплавы Pb$_{1-y}$Ni$_{y}$Te, гальваномагнитные эффекты, электронная структура, примесная зона никеля.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00865
19-02-00774
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты № 16-02-00865 и № 19-02-00774).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 20.04.2020
Принята в печать: 27.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1171–1179
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100279
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. П. Скипетров, Б. Б. Ковалев, И. В. Шевченко, А. В. Кнотько, В. Е. Слынько, “Влияние примеси никеля на гальваномагнитные свойства и электронную структуру PbTe”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 987–996; Semiconductors, 54:10 (2020), 1171–1179
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SkiKovShe20}
\by Е.~П.~Скипетров, Б.~Б.~Ковалев, И.~В.~Шевченко, А.~В.~Кнотько, В.~Е.~Слынько
\paper Влияние примеси никеля на гальваномагнитные свойства и электронную структуру PbTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 987--996
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5129}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49932.9417}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041206}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1171--1179
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100279}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5129
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p987
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024