Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1238–1243
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50095.9416
(Mi phts5126)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние морфологии поверхности микрополосковой линии СВЧ на ее передаточные характеристики

Н. А. Торховabcd, А. А. Коколовbe, Л. И. Бабакb

a Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск
b Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
c Томский государственный университет
d Севастопольский государственный университет
e Институт оптики атмосферы СО РАН, г. Томск
Аннотация: Определены основные морфологические параметры 50-омных Au/$i$-GaAs$\{100\}$ тонкопленочных микрополосковых золотых СВЧ копланарных линий передач длиной $l_{W}$, влияющие на активное сопротивление их скин-слоя $R$ и индуктивность $L$. Получено, что латеральный характер распределения зерен и развитый рельеф их поверхностей приводит к возникновению дополнительных процессов рассеяния электронов как на границах зерен, так и на неоднородностях рельефа. Малый размер зерен, $d_{x}<$ 133 нм, на частотах $f>$10 ГГц переводит аномальный скин-эффект в нормальный. При этом нелинейная зависимость $R$ от $l_{W}$ в локальном приближении обеспечивается фрактальной геометрией рельефа поверхности и приповерхностной области копланарных линий передач, а нелинейная зависимость индуктивности $L$ от $l_{W}$ – не только фрактальными особенностями рельефа двухмерной поверхности копланарных линий передач, но и фрактальными особенностями трехмерного распределения ее зерен.
Ключевые слова: СВЧ линии, скин-эффект, морфология поверхности, фракталы, размерность Хаусдорфа–Безиковича, $S$-параметры рассеяния, компактная модель, экстракция параметров.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации FEWM-2020-0046
075-15-2019-1644
Изготовление макетов и теоретическое исследование было выполнено при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, базовая часть государственного задания (уникальный идентификатор FEWM-2020-0046). Экспериментальные результаты получены с использованием оборудования ЦКП “Импульс” при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ по соглашению 075-15-2019-1644, идентификатор проекта RFMEFI62119X0029.
Поступила в редакцию: 26.04.2020
Исправленный вариант: 18.05.2020
Принята в печать: 28.05.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1472–1477
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110251
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Торхов, А. А. Коколов, Л. И. Бабак, “Влияние морфологии поверхности микрополосковой линии СВЧ на ее передаточные характеристики”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1238–1243; Semiconductors, 54:11 (2020), 1472–1477
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TorKokBab20}
\by Н.~А.~Торхов, А.~А.~Коколов, Л.~И.~Бабак
\paper Влияние морфологии поверхности микрополосковой линии СВЧ на ее передаточные характеристики
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1238--1243
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5126}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50095.9416}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154076}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1472--1477
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110251}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5126
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1238
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:71
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024