Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1219–1223
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50091.9461 (Mi phts5123) 		 
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода

М. С. Афанасьевa, Д. А. Белорусовa, Д. А. Киселевab, А. А. Сивовa, Г. В. Чучеваa

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
PDF полного текста (529 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50091.9461
Аннотация: Пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ (BST 80/20) синтезированы на кремниевой подложке методом высокочастотного распыления поликристаллической мишени. Представлены результаты исследований состава пленок, электрофизических свойств конденсаторных структур на их основе и зависимости этих свойств от материала верхнего электрода (Al, Cu, Ni, Cr).
Ключевые слова: структуры металл–диэлектрик–полупроводник, сегнетоэлектрические пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, микроструктура, электрофизические свойства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-11029
19-07-00271
19-29-03042
Работа выполнена в рамках государственного задания и частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты РФФИ № 18-29-11029, 19-07-00271 и 19-29-03042).
Поступила в редакцию: 08.06.2020
Исправленный вариант: 13.07.2020
Принята в печать: 13.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1445–1449
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110032
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1219–1223; Semiconductors, 54:11 (2020), 1445–1449
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AfaBelKis20}
\by М.~С.~Афанасьев, Д.~А.~Белорусов, Д.~А.~Киселев, А.~А.~Сивов, Г.~В.~Чучева
\paper Зависимость электрофизических характеристик структур металл--сегнетоэлектрик--полупроводник от материала верхнего электрода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1219--1223
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5123}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50091.9461}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154073}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1445--1449
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110032}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5123
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1219
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024