|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Получение гетероперехода Ge–GeS : Nd и исследование спектральной характеристики
А. С. Алекперовa, А. О. Дашдемировa, Н. А. Исмайыловаb, С. Г. Джабаровac a Азербайджанский государственный педагогический университет им. Н. Туси, Баку, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Аннотация:
Исследованы технология получения гетероперехода Ge–GeS : Nd, а также относительные спектральные характеристики квантовой эффективности полученного гетероперехода при разных дозах $\gamma$-облучения. Установлено, что при дозе облучения 30 крад фоточувствительность увеличивается в спектральном диапазоне 0.4–2.0 мкм. С увеличением дозы облучения до 100 крад фоточувствительность гетероперехода значительно уменьшается.
Ключевые слова:
слоистый монокристалл, гетеропереход, фоточувствительность, $\gamma$-излучение, квантовая эффективность, спектральная характеристика.
Поступила в редакцию: 06.04.2020 Исправленный вариант: 12.04.2020 Принята в печать: 23.06.2020
Образец цитирования:
А. С. Алекперов, А. О. Дашдемиров, Н. А. Исмайылова, С. Г. Джабаров, “Получение гетероперехода Ge–GeS : Nd и исследование спектральной характеристики”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1193–1196; Semiconductors, 54:11 (2020), 1406–1409
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5119 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1193
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 24 |
|