Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1193–1196
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50085.9401 (Mi phts5119) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Получение гетероперехода Ge–GeS : Nd и исследование спектральной характеристики

А. С. Алекперовa, А. О. Дашдемировa, Н. А. Исмайыловаb, С. Г. Джабаровac

a Азербайджанский государственный педагогический университет им. Н. Туси, Баку, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
PDF полного текста (402 kB) Список цитирования (9)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50085.9401
Аннотация: Исследованы технология получения гетероперехода Ge–GeS : Nd, а также относительные спектральные характеристики квантовой эффективности полученного гетероперехода при разных дозах $\gamma$-облучения. Установлено, что при дозе облучения 30 крад фоточувствительность увеличивается в спектральном диапазоне 0.4–2.0 мкм. С увеличением дозы облучения до 100 крад фоточувствительность гетероперехода значительно уменьшается.
Ключевые слова: слоистый монокристалл, гетеропереход, фоточувствительность, $\gamma$-излучение, квантовая эффективность, спектральная характеристика.
Поступила в редакцию: 06.04.2020
Исправленный вариант: 12.04.2020
Принята в печать: 23.06.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1406–1409
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Алекперов, А. О. Дашдемиров, Н. А. Исмайылова, С. Г. Джабаров, “Получение гетероперехода Ge–GeS : Nd и исследование спектральной характеристики”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1193–1196; Semiconductors, 54:11 (2020), 1406–1409
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleDasIsm20}
\by А.~С.~Алекперов, А.~О.~Дашдемиров, Н.~А.~Исмайылова, С.~Г.~Джабаров
\paper Получение гетероперехода Ge--GeS : Nd и исследование спектральной характеристики
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1193--1196
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5119}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50085.9401}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154069}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1406--1409
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110044}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5119
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1193
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024