Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1189–1191
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50138.9492 (Mi phts5118) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Резонансное рассеяние света оптическими фононами в кристалле алмаза с азотозамещенной вакансией

Б. Х. Байрамовa, В. В. Топоровa, Ф. Д. Байрамовb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (118 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50138.9492
Аннотация: Сообщается об обнаружении явления резонансного усиления интенсивности рассеяние света оптическими фононами в кристаллах алмаза c азотозамещенной вакансией. Установлено, что при этом определяющую роль в усиления интенсивности такого рассеяния играет процесс необычного резонанса с электронными переходами для оптически активных примесей азота с обеими бесфононными линиями: для нейтрального NV$^{0}$-центра при 575.468 нм и для отрицательно заряженного NV$^{-}$-центра при 637.874 нм. Полученные экспериментальные данные указывают на обнаружение сильного резонансного усиления интенсивности во входном канале рассеяния для NV$^{0}$-центра и в выходном канале для NV$^{-}$-центра.
Ключевые слова: двойное резонансное рассеяние света, алмаз, NV-центр.
Поступила в редакцию: 23.07.2020
Исправленный вариант: 27.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1395–1397
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110056
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Х. Байрамов, В. В. Топоров, Ф. Д. Байрамов, “Резонансное рассеяние света оптическими фононами в кристалле алмаза с азотозамещенной вакансией”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1189–1191; Semiconductors, 54:11 (2020), 1395–1397
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiTopBay20}
\by Б.~Х.~Байрамов, В.~В.~Топоров, Ф.~Д.~Байрамов
\paper Резонансное рассеяние света оптическими фононами в кристалле алмаза с азотозамещенной вакансией
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1189--1191
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5118}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50138.9492}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154068}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1395--1397
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110056}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5118
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1189
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024