Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1302–1308
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50229.9497 (Mi phts5104) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe

К. Д. Мынбаевa, Н. Л. Баженовa, А. М. Смирновb, Н. Н. Михайловc, В. Г. Ремесникc, М. В. Якушевc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (446 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50229.9497
Аннотация: Представлены результаты исследования оптического пропускания, фотопроводимости, фотолюминесценции и рентгеновской дифракции образцов твердых растворов HgCdTe с большим (мольная доля 0.7–0.8) содержанием CdTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии. Показано, что исследованный материал обладал значительной степенью разупорядочения твердого раствора, которая была больше в структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs, в отличие от пленок, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Исследования фотолюминесценции позволили обнаружить состояния в запрещенной зоне, которые ранее считались не типичными для пленок HgCdTe, выращенных на подложках GaAs, а только для пленок, выращенных на Si. В целом подтверждено высокое качество материала с большим содержанием CdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и используемого при создании широко востребованных в настоящее время наноструктур HgTe/HgCdTe.
Ключевые слова: HgCdTe, фотолюминесценция, дефекты, структурные свойства.
Поступила в редакцию: 03.08.2020
Исправленный вариант: 10.08.2020
Принята в печать: 10.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1561–1566
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120258
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. М. Смирнов, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, “Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1302–1308; Semiconductors, 54:12 (2020), 1561–1566
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MynBazSmi20}
\by К.~Д.~Мынбаев, Н.~Л.~Баженов, А.~М.~Смирнов, Н.~Н.~Михайлов, В.~Г.~Ремесник, М.~В.~Якушев
\paper Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1302--1308
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5104}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50229.9497}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368064}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1561--1566
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5104
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1302
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024