Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страницы 69–74
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50389.9455 (Mi phts5098) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения $\gamma$-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов

С. В. Булярскийa, А. В. Лакалинa, М. А. Сауровb

a Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Россия
PDF полного текста (156 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50389.9455
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики кремниевых фотодиодов до и после облучения $\gamma$-квантами энергией 1.25 МэВ и дозой облучения 0.5 МРад. Установлено, что обратные токи определяются механизмом Пула–Френкеля в сильном электрическом поле с влиянием электрон-фононного взаимодействия. Разработана методика и рассчитаны параметры электрон-фононного взаимодействия, описываемого конфигурационной однокоординатной моделью, из обратных вольт-амперных характеристик. Сделано предположение, что в результате облучения $\gamma$-квантами образуются центры дивакансии кремния с кислородом, которые и определяют обратные токи фотодиодов.
Ключевые слова: обратная вольт-амперная характеристика, эффект Пула–Френкеля, электрон-фононное взаимодействие, облучение $\gamma$-квантами, центры дивакансии кремния с кислородом.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0004-2019-0001
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ, проект № 0004-2019-0001.
Поступила в редакцию: 03.06.2020
Исправленный вариант: 03.08.2020
Принята в печать: 25.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 1, Pages 86–91
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621010048
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Булярский, А. В. Лакалин, М. А. Сауров, “Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения $\gamma$-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 69–74; Semiconductors, 55:1 (2021), 86–91
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BulLakSau21}
\by С.~В.~Булярский, А.~В.~Лакалин, М.~А.~Сауров
\paper Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения $\gamma$-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 69--74
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5098}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50389.9455}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44862607}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 86--91
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621010048}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5098
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i1/p69
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024