Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO$_{2}$

Интерес к созданию и изучению нанокристаллов InSb на основе кремния обусловлен необходимостью создания гибридных интегральных схем, объединяющих в себе элементы с различными функциональными свойствами. Локализация оптических фононов в кристаллах с пониженной размерностью может оказывать влияние как на оптические, так и на электрические свойства этих кристаллов. В данной работе проведен сравнительный анализ свойств оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в решетке Si, а также в нанокристаллах InSb в пленках SiO$_{2}$, созданных методами ионно-лучевого синтеза и радиочастотного магнетронного распыления. Свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb объяснены с точки зрения влияния структурных свойств окружающей матрицы.