Тонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm$_{1-x}$Gd$_{x}$S

Исследовано влияние концентрации Gd на температурный и барический коэффициенты электросопротивления тонких поликристаллических пленок твердых растворов системы Sm$_{1-x}$Gd$_{x}$S, где $x$ = 0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.33 и 0.5. Пленки изготовлены методом взрывного испарения в вакууме порошков исходных соединений и седиментацией последних из газовой фазы на стеклянные подложки. Получены зависимости температурного $\alpha$ и барического $\beta$ коэффициентов электросопротивления, а также их отношения $\gamma$ от концентрации $x$ Gd в системе твердых растворов SmS–GdS, на основании которых определены оптимальные составы для изготовления тонкопленочных тензо- и барорезисторов.