Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страницы 16–23
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50378.9423 (Mi phts5091) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Наблюдение локальных и нелокальных электронных квантовых состояний на кремниевой поверхности при комнатной температуре

Н. А. Торховabc

a Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
b Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
c Севастопольский государственный университет, Севастополь, Россия
PDF полного текста (1344 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50378.9423
Аннотация: Формирование методами атомно-силовой микроскопии на кремниевых поверхностях участков с принудительно измененными одноименными зарядовыми состояниями позволило наблюдать при комнатных температурах когерентные и некогерентные стабильные электронные квантовые объекты. В рамках теории запутанных состояний были определены условия их взаимодействия между собой, объяснены эффекты квантовой экранировки и квантовые интерференционные эффекты между такими объектами.
Ключевые слова: кремний, поверхность, когерентные квантовые состояния, квантовая экранировка, квантовая интерференция, запутанные состояния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 42-01-09/90/2020-1
Исследования выполнены при финансовой поддержке Севастопольского государственного университета, идентификатор проекта 42-01-09/90/2020-1.
Поступила в редакцию: 06.05.2020
Исправленный вариант: 24.08.2020
Принята в печать: 27.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 1, Pages 14–20
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621010176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Торхов, “Наблюдение локальных и нелокальных электронных квантовых состояний на кремниевой поверхности при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 16–23; Semiconductors, 55:1 (2021), 14–20
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Tor21}
\by Н.~А.~Торхов
\paper Наблюдение локальных и нелокальных электронных квантовых состояний на кремниевой поверхности при комнатной температуре
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 16--23
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5091}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50378.9423}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44862600}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 14--20
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621010176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5091
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i1/p16
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025