|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
А. В. Марченкоa, Е. И. Теруковbc, Ф. С. Насрединовd, Ю. А. Петрушинa, П. П. Серегинa a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах$^{119}$Sn показано, что атомы германия в структуре аморфных и поликристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ имеют различную симметрию локального окружения (тетраэдрическую в аморфной фазе и октаэдрическую в кристаллической фазе). Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах $^{119m}$Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов $^{119}$Sb и $^{119m}$Te, идентифицированы антиструктурные дефекты олова в узлах сурьмы и теллура кристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$.
Ключевые слова:
антиструктурные дефекты, мессбауэровская спектроскопия, Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$.
Поступила в редакцию: 21.09.2020 Исправленный вариант: 23.09.2020 Принята в печать: 23.09.2020
Образец цитирования:
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, Ю. А. Петрушин, П. П. Серегин, “Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 3–8; Semiconductors, 55:1 (2021), 1–6
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5089 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i1/p3
|
|