Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 1, страницы 3–8
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50376.9524
(Mi phts5089)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$

А. В. Марченкоa, Е. И. Теруковbc, Ф. С. Насрединовd, Ю. А. Петрушинa, П. П. Серегинa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах$^{119}$Sn показано, что атомы германия в структуре аморфных и поликристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ имеют различную симметрию локального окружения (тетраэдрическую в аморфной фазе и октаэдрическую в кристаллической фазе). Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах $^{119m}$Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов $^{119}$Sb и $^{119m}$Te, идентифицированы антиструктурные дефекты олова в узлах сурьмы и теллура кристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$.
Ключевые слова: антиструктурные дефекты, мессбауэровская спектроскопия, Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$.
Поступила в редакцию: 21.09.2020
Исправленный вариант: 23.09.2020
Принята в печать: 23.09.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 1, Pages 1–6
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621010127
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, Ю. А. Петрушин, П. П. Серегин, “Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 3–8; Semiconductors, 55:1 (2021), 1–6
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarTerNas21}
\by А.~В.~Марченко, Е.~И.~Теруков, Ф.~С.~Насрединов, Ю.~А.~Петрушин, П.~П.~Серегин
\paper Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 3--8
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5089}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50376.9524}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44862598}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 1
\pages 1--6
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621010127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5089
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i1/p3
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024