Влияние интенсивности ионизирующего облучения на отклик МОП-структур

Проведено моделирование влияния интенсивности ионизирующего облучения на объемный заряд и плотность поверхностных состояний МОП-структур с тонким подзатворным диоксидом кремния. Показано, что зависимости плотности поверхностных состояний и объемного заряда от суммарного времени ионизирующего облучения и последующей выдержки при разных интенсивностях ионизирующего облучения ложатся на соответствующие общие кривые $N_{it}(t)$ и $Q_{ot}(t)$. Общая кривая $N_{it}(t)$ обусловлена дисперсионным характером транспорта ионов водорода H$^{+}$. Наблюдаемые отклонения от общей кривой $N_{it}(t)$ непосредственно после окончания ионизирующего облучения связаны с переходным процессом перераспределения ионов H$^{+}$. Общая кривая $Q_{ot}(t)$ обусловлена релаксацией объемного заряда по механизму термоэмиссии с системы уровней с энергиями 0.3–1.0 эВ. Показано, что повышенная чувствительность к малым дозам ионизирующего облучения (ELDRS) МОП-структур с толстым базовым оксидом при низких интенсивностях определяется дисперсионным характером транспорта ионов H$^{+}$.