Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 251–255
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50603.9554 (Mi phts5066) 		 
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием

И. Д. Бреевa, В. Д. Яковлеваa, О. С. Кудрявцевb, П. Г. Барановa, Е. Н. Моховa, А. Н. Анисимовa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия
PDF полного текста (714 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50603.9554
Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературной (T=1880$^\circ$C) диффузии ионов бериллия и электронного облучения на оптические свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что введение Ве в AlN приводит к изменению спектральных характеристик комбинационного рассеяния света и инфракрасного поглощения. Анализ спектров комбинационного рассеяния света и инфракрасного поглощения в кристаллах, содержащих примесь Ве, доказывает, что эта примесь является геттером собственных дефектов, ответственных за желтый цвет кристалла AlN и уширение линий в спектрах.
Ключевые слова: нитрид алюминия, легирование, бериллий, геттер, собственные дефекты, комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция, ифракрасное поглощение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00649
Исследование выполнено при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований № 19-02-00649.
Поступила в редакцию: 12.11.2020
Исправленный вариант: 23.11.2020
Принята в печать: 23.11.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 3, Pages 328–332
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621030040
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Д. Бреев, В. Д. Яковлева, О. С. Кудрявцев, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, А. Н. Анисимов, “Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 251–255; Semiconductors, 55:3 (2021), 328–332
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BreYakKud21}
\by И.~Д.~Бреев, В.~Д.~Яковлева, О.~С.~Кудрявцев, П.~Г.~Баранов, Е.~Н.~Мохов, А.~Н.~Анисимов
\paper Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 251--255
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5066}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50603.9554}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45332272}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 328--332
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621030040}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5066
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i3/p251
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025