Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 241–250
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50602.9393 (Mi phts5065) 		 
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии

М. Л. Орловa, Л. К. Орловbc

a Нижегородский Институт Управления при президенте Российской Федерации, филиал РАНХиГС, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (371 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50602.9393
Аннотация: Для двумерной квантовой сверхрешетки с негармоническим законом дисперсии электронов изучены анизотропия проводимости и вид вольт-амперной характеристики для различных относительно осей сверхрешетки направлений тока и прикладываемого к структуре поля. Для разных режимов протекания тока обсуждаются анизотропия характеристик и условия появления многозначных вольт-амперных характеристик. Показано, что отклонение закона дисперсии электронов в двумерной квантовой сверхрешетке от гармонического в сильном постоянном электрическом поле оказывает заметное влияние на вид вольт-амперных характеристик двумерной квантовой сверхрешетки. Появление в сильном поле нескольких всплесков тока связано как с перемешиванием линий тока для ортогональных относительно прикладываемого поля направлений, так и с транспортом электронов по уровням штарковских лестниц, формируемых в разных долинах мини-зоны.
Ключевые слова: двумерные сверхрешетки, неассоциативный закон дисперсии, анизотропия, постоянное электрическое поле, вольт-амперная характеристика, штарковские состояния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-520062
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, проект 18-42-520062.
Поступила в редакцию: 09.03.2020
Исправленный вариант: 14.09.2020
Принята в печать: 26.10.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 3, Pages 319–327
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621030143
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Л. Орлов, Л. К. Орлов, “Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 241–250; Semiconductors, 55:3 (2021), 319–327
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlOrl21}
\by М.~Л.~Орлов, Л.~К.~Орлов
\paper Особенности транспорта электронов в двумерных квантовых сверхрешетках с неассоциативным законом дисперсии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 241--250
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5065}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50602.9393}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45332271}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 319--327
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621030143}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5065
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i3/p241
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024