Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 230–236
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50600.9542
(Mi phts5063)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структурные особенности текстурированных пленок оксида цинка, полученных методом ионного распыления

В. Г. Костишинa, А. Ю. Мироновичa, А. В. Тимофеевa, И. М. Исаевa, Р. И. Шакирзяновa, А. И. Рильb, А. А. Сергиенкоa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
b Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия
Аннотация: Исследовались текстурированные пленки ZnO, полученные на аморфных подложках методом ионно-лучевого распыления. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что полученные пленки обладают поликристаллической структурой сразу после напыления. Установлено, что при дальнейшем отжиге исследуемых образцов в интервале температур от 200 до 500$^\circ$C происходит рекристаллизация, приводящая к изменению размера зерен и шероховатости поверхности. Обнаружена зависимость интенсивности кристаллизации от условий напыления, которая связана с количеством дефектов в неотожженных пленках. В пленках с изначально более совершенной структурой температурная обработка при 500$^\circ$C привела к росту зерен более чем в 2 раза и уменьшению шероховатости на $\sim$40%.
Ключевые слова: оксид цинка, тонкие пленки, кристаллографическая текстура, отжиг, нанесение пленок ионно-лучевым распылением мишени, атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифрактометрия.
Поступила в редакцию: 26.10.2020
Исправленный вариант: 30.10.2020
Принята в печать: 30.10.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 3, Pages 308–314
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262103012X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Костишин, А. Ю. Миронович, А. В. Тимофеев, И. М. Исаев, Р. И. Шакирзянов, А. И. Риль, А. А. Сергиенко, “Структурные особенности текстурированных пленок оксида цинка, полученных методом ионного распыления”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 230–236; Semiconductors, 55:3 (2021), 308–314
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KosMirTim21}
\by В.~Г.~Костишин, А.~Ю.~Миронович, А.~В.~Тимофеев, И.~М.~Исаев, Р.~И.~Шакирзянов, А.~И.~Риль, А.~А.~Сергиенко
\paper Структурные особенности текстурированных пленок оксида цинка, полученных методом ионного распыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 230--236
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5063}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50600.9542}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45332269}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 308--314
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262103012X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5063
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i3/p230
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024