Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страницы 224–228
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50598.9540 (Mi phts5062) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов

К. А. Дроздовa, И. В. Крыловa, В. А. Василикa, А. Д. Косовa, Т. В. Дубининаbc, Л. И. Рябоваb, Д. Р. Хохловad

a Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), 119991 Москва, Россия
b Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), 119991 Москва, Россия
c Институт физиологически активных веществ Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская область, Россия
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
PDF полного текста (297 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50598.9540
Аннотация: Анализ вольт-амперных характеристик позволил определить механизмы проводимости, соответствующие различным состояниям каналов протекания при резистивных переключениях в пленках порфиразинов. Варьирование температуры, структуры диэлектрической матрицы и типа основных носителей заряда позволило оценить применимость модели проводящих каналов для описания транспорта и определить механизмы проводимости для каждого состояния системы.
Ключевые слова: пленки порфиразинов, транспорт носителей заряда, резистивное переключение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-32-70118
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-32-70118.
Поступила в редакцию: 22.10.2020
Исправленный вариант: 12.11.2020
Принята в печать: 12.11.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 3, Pages 296–300
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621030052
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Дроздов, И. В. Крылов, В. А. Василик, А. Д. Косов, Т. В. Дубинина, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 224–228; Semiconductors, 55:3 (2021), 296–300
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroKryVas21}
\by К.~А.~Дроздов, И.~В.~Крылов, В.~А.~Василик, А.~Д.~Косов, Т.~В.~Дубинина, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 224--228
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5062}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50598.9540}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45332267}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 296--300
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621030052}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5062
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i3/p224
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025