Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 360–364
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50741.9561
(Mi phts5058)
 

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова

Д. А. Кудряшовa, А. А. Максимоваab, Е. А. Вячеславоваa, А. В. Уваровa, И. А. Морозовa, А. И. Барановa, А. О. Монастыренкоab, А. С. Гудовскихa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Показано влияние относительного расположения магнетрона и подложки на электрические и оптические свойства формирующегося слоя оксида индия-олова (ITO). Рассмотрены причины данного поведения и показана роль кислорода в возникновении неоднородности свойств пленок ITO. Показано, что в режиме роста без дополнительного добавления кислорода удельное сопротивление пленок ITO различается на порядок ((2–14)$\cdot$10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см) при различном расположении подложки на подложкодержателе вдоль радиуса в диапазоне 0–14 см. На спектрах поглощения при этом наблюдаются различия в форме коротковолновой области спектра. Добавление незначительного (0.1 ст. см$^{3}$/мин) количества кислорода в рабочую камеру в процессе роста оксида приводит к значительному повышению однородности электрических и оптических свойств ITO.
Ключевые слова: магнетронное распыление, оксид индия-олова, тонкие пленки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0791-2020-0004
Представленные в работе исследования осуществлены в рамках проекта № 0791-2020-0004, поддержанного Министерством науки и высшего образования РФ.
Поступила в редакцию: 25.11.2020
Исправленный вариант: 07.12.2020
Принята в печать: 07.12.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 4, Pages 410–414
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621040072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. И. Баранов, А. О. Монастыренко, А. С. Гудовских, “Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 360–364; Semiconductors, 55:4 (2021), 410–414
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudMakVya21}
\by Д.~А.~Кудряшов, А.~А.~Максимова, Е.~А.~Вячеславова, А.~В.~Уваров, И.~А.~Морозов, А.~И.~Баранов, А.~О.~Монастыренко, А.~С.~Гудовских
\paper Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 360--364
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5058}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50741.9561}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474716}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 410--414
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621040072}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5058
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p360
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:78
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024