Полупроводниковый сенсор термоэлектрического однофотонного детектора для регистрации излучения ближнего ИК диапазона

Предложена конструкция четырехслойного чувствительного элемента однофотонного термоэлектрического детектора с полупроводниковым FeSb$_{2}$ сенсором. Методом компьютерного моделирования изучены процессы распространения тепла в чувствительном элементе после поглощения фотона. Расчеты проводились на основе уравнения распространения тепла из ограниченного объема с использованием трехмерного матричного метода для дифференциальных уравнений. Временные зависимости амплитуды сигнала детектора рассчитывались для различных толщин слоев чувствительного элемента и определялись следующие параметры: задержка сигнала, временной джиттер, максимальное значение сигнала, время достижения максимального сигнала, время затухания и скорость счета. Обосновано, что детектор с таким чувствительным элементом может обеспечить эффективность детектирования $>$ 95% для фотонов ближней ИК области. Одновременно достигается терагерцовая скорость счета.