|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Аннотация:
Исследовано влияние деионизованной воды и прогрева образцов эпитаксиальных пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на их холловские и эллипсометрические параметры. Обработка водой уменьшает показатель преломления естественного окисла Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с 2.1 до 1.2–1.4. Это означает, что происходит введение в окисел вещества с малым показателем преломления, таким как вода. Кипячение в воде приводит к образованию в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te акцепторов с концентрациями до 10$^{19}$ см$^{-3}$. Изменение кислотности среды от щелочной до кислой замедляет скорость образования акцепторов. Прогрев после выдержки в воде также приводит к образованию акцепторов. Сделано заключение, что вода, в том числе присутствующая в слое естественного окисла, приводит к образованию акцепторов в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te. Концентрация акцепторов растет с температурой обработки и количеством доступной воды.
Ключевые слова:
CdHgTe, естественный окисел, акцепторы, термообработка.
Поступила в редакцию: 25.11.2020 Исправленный вариант: 07.12.2020 Принята в печать: 16.12.2020
Образец цитирования:
Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин, “Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 331–335; Semiconductors, 55:5 (2021), 461–465
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5053 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p331
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 11 |
|