Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 331–335
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50734.9560
(Mi phts5053)
 

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок

Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Аннотация: Исследовано влияние деионизованной воды и прогрева образцов эпитаксиальных пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на их холловские и эллипсометрические параметры. Обработка водой уменьшает показатель преломления естественного окисла Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с 2.1 до 1.2–1.4. Это означает, что происходит введение в окисел вещества с малым показателем преломления, таким как вода. Кипячение в воде приводит к образованию в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te акцепторов с концентрациями до 10$^{19}$ см$^{-3}$. Изменение кислотности среды от щелочной до кислой замедляет скорость образования акцепторов. Прогрев после выдержки в воде также приводит к образованию акцепторов. Сделано заключение, что вода, в том числе присутствующая в слое естественного окисла, приводит к образованию акцепторов в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te. Концентрация акцепторов растет с температурой обработки и количеством доступной воды.
Ключевые слова: CdHgTe, естественный окисел, акцепторы, термообработка.
Поступила в редакцию: 25.11.2020
Исправленный вариант: 07.12.2020
Принята в печать: 16.12.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 5, Pages 461–465
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621040175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин, “Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 331–335; Semiconductors, 55:5 (2021), 461–465
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SidSidShv21}
\by Г.~Ю.~Сидоров, Ю.~Г.~Сидоров, В.~А.~Швец, В.~С.~Варавин
\paper Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 331--335
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5053}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50734.9560}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474711}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 461--465
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621040175}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5053
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p331
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024