Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 313–318
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50731.9569 (Mi phts5050) 		 
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром

И. В. Кочман, М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, Р. В. Парфеньев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (561 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50731.9569
Аннотация: Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7–270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2$k_{\mathrm{F}}$. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов.
Ключевые слова: квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
Поступила в редакцию: 02.12.2020
Исправленный вариант: 11.12.2020
Принята в печать: 11.12.2020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Кочман, М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, Р. В. Парфеньев, “Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 313–318
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KocMikVei21}
\by И.~В.~Кочман, М.~П.~Михайлова, А.~И.~Вейнгер, Р.~В.~Парфеньев
\paper Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 313--318
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5050}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50731.9569}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474708}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5050
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p313
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024