|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром
И. В. Кочман, М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, Р. В. Парфеньев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Впервые из спектров микроволнового поглощения в магнитном поле в структуре с квантовой ямой InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром выявлены осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием двумерных электронов на акустических фононах. Индуцированные взаимодействием с акустическими фононами магнитофононные осцилляции магнитосопротивления проявляются в широком интервале температур 2.7–270 K и достигают максимума по амплитуде при 120 K. Рассматриваются электронные переходы между уровнями Ландау с энергией акустических фононов, равной энергии двумерных электронов в InAs с импульсом 2$k_{\mathrm{F}}$. Спектры магнитосопротивления получены на установке электронного парамагнитного резонанса на образцах квантовых ям InAs/GaSb с полуизолирующей подложкой без контактов.
Ключевые слова:
квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, акустические фононы.
Поступила в редакцию: 02.12.2020 Исправленный вариант: 11.12.2020 Принята в печать: 11.12.2020
Образец цитирования:
И. В. Кочман, М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, Р. В. Парфеньев, “Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 313–318
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5050 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p313
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 62 | PDF полного текста: | 27 |
|