Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 304–307
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50729.9556
(Mi phts5048)
 

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах железа в селениде цинка

В. В. Ушаков, Д. Ф. Аминев, В. С. Кривобок

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Аннотация: В области 0.6–1.8 мкм исследован спектральный состав люминесценции образцов ZnSe, легированных примесью железа методом высокотемпературной термодиффузии в атмосфере Zn или Ar. В спектрах люминесценции образцов наблюдались линии при 980 и 1400 нм, связанные с внутрицентровыми излучательными переходами в центрах Fe$^{2+}$. По данным спектрального сканирования, интенсивности обеих линий коррелировали по всей поверхности образца, что свидетельствует о связи обоих излучательных переходов с одним и тем же центром. Идентификация излучательных переходов проведена по диаграмме Танабе–Сугано с параметрами, адаптированными к центрам ZnSe : Fe$^{2+}$ ($d^{6}$). Результаты свидетельствуют о том, что линии при 980 и 1400 нм обусловлены электронными переходами $^{3}T_{1}(^{3}H)$$^{5}E(^{5}D)$ и $^{5}T_{2}(^{5}D)$ соответственно.
Ключевые слова: люминесценция, внутрицентровые переходы, ZnSe : Fe.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30086
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант 19-79-30086).
Поступила в редакцию: 19.11.2020
Исправленный вариант: 10.12.2020
Принята в печать: 10.12.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 5, Pages 466–469
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621040187
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Ушаков, Д. Ф. Аминев, В. С. Кривобок, “Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах железа в селениде цинка”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 304–307; Semiconductors, 55:5 (2021), 466–469
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UshAmiKri21}
\by В.~В.~Ушаков, Д.~Ф.~Аминев, В.~С.~Кривобок
\paper Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах железа в селениде цинка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 304--307
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5048}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50729.9556}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474706}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 466--469
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621040187}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5048
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p304
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024