Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 291–298
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50727.9551
(Mi phts5046)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

О ширине запрещенной зоны AgSbSe$_{2}$

С. С. Рагимовab, В. Э. Багиевa, А. И. Алиеваb, А. А. Саддиноваb

a Бакинский государственный университет, Институт физических проблем, Баку, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Аннотация: Проведены спектральные эллипсометрические исследования AgSbSe$_{2}$, определены спектры оптических постоянных и диэлектрической проницаемости в области энергий фотонов 0.07-6.5 эВ. Для описания полученных спектров применены модель Тауца–Лорентца, модифицированная модель Фороухи–Блумера и модель Коди–Лорентца. Выяснено, что модель Коди–Лорентца лучше описывает субкраевую область спектра оптических постоянных. Показано, что на оптические свойства, форму края поглощения и структуру запрещенной зоны существенное влияние оказывает пространственная структурная разупорядоченность кристаллов AgSbSe$_{2}$. На основе анализа полученных спектров с применением различных методов определена величина ширины запрещенной зоны AgSbSe$_{2}$, $E_{g}$=0.32 эВ.
Ключевые слова: эллипсометрические измерения, оптические постоянные, диэлектрическая проницаемость, запрещенная зона, структурная разупорядоченность.
Поступила в редакцию: 11.11.2020
Исправленный вариант: 07.12.2020
Принята в печать: 07.12.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 928–935
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262104014X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. С. Рагимов, В. Э. Багиев, А. И. Алиева, А. А. Саддинова, “О ширине запрещенной зоны AgSbSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 291–298; Semiconductors, 55:12 (2021), 928–935
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RagBagAli21}
\by С.~С.~Рагимов, В.~Э.~Багиев, А.~И.~Алиева, А.~А.~Саддинова
\paper О ширине запрещенной зоны AgSbSe$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 291--298
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5046}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50727.9551}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474704}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 928--935
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262104014X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5046
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p291
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024