Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 5, страницы 475–480
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50841.9587
(Mi phts5044)
 

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$

Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Курдюков, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, А. В. Швидченко, М. А. Яговкина, В. Г. Голубев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Получены монодисперсные наночастицы дисульфида молибдена в мезопорах темплата – сферических частицах кремнезема ($m$SiO$_{2}$). Раствор прекурсора – тетратиомолибдата аммония вводился в поры частиц методом капиллярной пропитки. Затем из прекурсора в порах $m$SiO$_{2}$ синтезирован MoS$_{2}$ посредством отжига частиц в атмосфере H$_{2}$S/H$_{2}$ в термодинамически равновесных условиях. Для получения индивидуальных наночастиц MoS$_{2}$ материал темплата ($\alpha$-SiO$_{2}$) удалялся из композитных частиц $m$SiO$_{2}$/MoS$_{2}$ путем травления в HF. Микроскопическими методами определено, что средний размер наночастиц MoS$_{2}$ составляет 3.5 нм. По данным динамического светорассеяния, наночастицы имеют низкое среднеквадратичное отклонение размеров (18%).
Ключевые слова: MoS$_2$, мезопористый кремнезем, наночастицы, темплатный синтез.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-03-00656
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 20-03-00656).
Поступила в редакцию: 11.01.2021
Исправленный вариант: 18.01.2021
Принята в печать: 18.01.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 6, Pages 525–530
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262105016X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Курдюков, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, А. В. Швидченко, М. А. Яговкина, В. Г. Голубев, “Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 475–480; Semiconductors, 55:6 (2021), 525–530
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{StoKurKir21}
\by Е.~Ю.~Стовпяга, Д.~А.~Курдюков, Д.~А.~Кириленко, А.~Н.~Смирнов, А.~В.~Швидченко, М.~А.~Яговкина, В.~Г.~Голубев
\paper Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 475--480
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5044}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50841.9587}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474560}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 525--530
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262105016X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5044
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i5/p475
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024