Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы

Представлены результаты формирования на SOI подложках локально растянутых Ge микроструктур (микромостиков), встроенных в резонаторы, и исследования их оптических свойств. Был рассчитан дизайн резонаторов, совместимый с геометрией локально растянутой активной области, при использовании которого, с одной стороны, наблюдалась бы эффективная локализация электромагнитного поля в активной области структуры, а с другой – минимизировалось бы влияние резонатора на величину и распределение упругих деформаций в ней. Измерения спектров микрофотолюминесценции продемонстрировали значительное возрастание интенсивности сигнала в растянутых областях Ge микроструктур по сравнению с исходной Ge пленкой. Было показано, что формирование резонаторов приводит к уменьшению деформаций в Ge микромостиках, однако способствует увеличению интенсивности ФЛ исследуемых структур.