Исследование пространственного распределения люминесценции в диапазоне 0.44–0.75 мкм CVD-ZnSe, легированного алюминием и железом

Детально исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик CVD-ZnSe, легированного алюминием и алюминием и железом методом термодиффузии. Обнаружено, что методика легирования алюминием, используемая в данной работе, приводит к образованию в кристаллах двух областей: области с большей концентрацией алюминия, в которой доминирует люминесценция примесно-дефектных центров и отсутствует экситонная люминесценция и области с меньшей концентрацией алюминия, в которой доминирует экситонная люминесценция. Установлено, что границы этих областей, регистрируемые с помощью люминесценции, несут резкий, нехарактерный для диффузионных процессов характер. Этот результат объясняется в предположении аномального характера диффузии алюминия, приводящего к резкому изменению концентрации алюминия на некотором расстоянии от поверхности, с которой проводилось легирование. Показано, что применяемая в данной работе методика легирования алюминием кристаллов ZnSe ослабляет известный эффект подавления железом люминесценции ZnSe в видимом диапазоне.